硒化锗晶体 GeSe (селенид германия)
晶体尺寸：~10毫米
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数： a = 0,383 нм, b = 0,440 нм, c = 1,078 нм, α = β = γ = 90°
晶体类型：合成
晶体纯度： ＞99.995%

Рентгеновская дифракция на однокристалле GeSe, выравниванном вдоль плоскости (100). XRD проводили при комнатной температуре с помощью D8 Venture Bruker. 4 пика XRD соответствуют (h00) слева направо с h = 2, 4, 6, 8

Порошковая рентгеновская дифракция (XRD) одного кристалла GeSe. Рентгеновская дифракция проводилась при комнатной температуре с помощью D8 Venture Bruker.

Стоихиометрический анализ одного кристалла GeSe с помощью энергодисперсивной рентгеновской спектроскопии (EDX).

Раманский спектр одного кристалла GeSe. Измерение проводилось с помощью системы Рамана 785 нм при комнатной температуре.