Шанхайская фотоэлектрическая компания Юйчэнь
Домой> >Продукты> >Лазеры DFB и DBR
Информация о компании
  • Уровень сделки
    VIP Члены
  • Связь
  • Телефон
  • Адрес
    улица Чжэньгуан, 1228, комната 703, район Путао, Шанхай
Немедленно свяжитесь.
Лазеры DFB и DBR
Лазеры DFB и DBR
Подробная информация о продукции

DFBАЛазер DBR

Высокомощный лазер DFB 1550 нм

Основные особенности:

  • Длина волны сетки ITU
  • Выходная мощность до 100 мВт
  • Низкий RIN
  • Оптические волокна SMF28
  • Лазерная сварка и уплотнение.
  • Встроенный терморезистор и детектор контроля
  • Выбрать Bias - T

Применение:

  • Analog RF Links
  • Seeding
  • Pulsing
  • Sensing
  • CATV

Фотоэлектрические характеристики:

TOP= 25°C, непрерывный поток и начало жизни без других особенностей.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Температура рабочего чипа

TCHIP

20

35

°C

Пороговый ток

ITH

50

mA

ток привода лазера

IOP

375

500

mA

положительное напряжение лазера

VF

I= IMAX

3

V

выходная мощность

POP

100mW Version, I=IOP

100

mW

80mW Version, I=IOP

80

63mW Version, I=IOP

63

50mW Version, I=IOP

50

40mW Version, I=IOP

40

Центральная частота

FOPT

P=POP

See ordering information

THz

Ширина линии

Δν

1

MHz

Шумы относительной интенсивности

RIN

P=POP, 0.2 ГГц → 14 ГГц

-150

dB/Hz

коэффициент подавления боковых модулей

SMSR

P=POP

30

dB

Оптическая изоляция

ISO

30

35

dB

Коэффициент экстинкции

PER

17

21

dB

Контроль тока светочувствительных диодов

IPD

100

мкА

Контроль темного тока на светочувствительных диодах

ID

100

nA

Ошибка отслеживания

-0.5

0.5

dB

ТЕК ток

TOP= 70°C, P = POP, TCHIP= 25°C

4.0

A

ТЭС напряжение

TOP= 70°C, P = POP, TCHIP= 25°C

4.0

V

сопротивление термистора

RTH

Т = 25°C

9500

10000

10500

Снова.

бета - коэффициент терморезистора

β

0 / 50°C

3892

Лазер DFB с высокой пропускной способностью

Основные особенности:

  • Выходная мощность до 18 мВт
  • Высокая пропускная способность > 10 ГГц
  • импульсные свойства сверхвысоких скоростей
  • Лазерная сварка и уплотнение
  • Встроенный терморезистор и детектор контроля

Фотоэлектрические характеристики:

TOP= 25°C, непрерывный поток и начало жизни без других особенностей.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Температура рабочего чипа

TCHIP

15

35

°C

Пороговый ток

ITH

8

20

mA

ток привода лазера

IOP

75

100

mA

положительное напряжение лазера

VF

I= IMAX

1.6

2

V

выходная мощность

POP

I=IOP

18

mW

Центральная длина волны

λ

P=POP

1310
1550

nm

Ширина линии

Δ ν

1

MHz

Шумы относительной интенсивности

RIN

P=POP, 0.2 ГГц → 3 ГГц

-150

dB/Hz

коэффициент подавления боковых модулей

SMSR

P=POP

30

dB

Оптическая изоляция

ISO

30

35

dB

Коэффициент экстинкции

PER

17

19

dB

Контроль тока светочувствительных диодов

IPD

50

мкА

Контроль темного тока на светочувствительных диодах

ID

100

nA

Ошибка отслеживания

-0.5

0.5

dB

ТЕК ток

TOP= 70°C, P = POP, TCHIP= 25°C

2.0

A

ТЭС напряжение

TOP= 70°C, P = POP, TCHIP= 25°C

2.5

V

сопротивление термистора

RTH

Т = 25°C

9500

10000

10500

Снова.

бета - коэффициент терморезистора

β

0 / 50°C

3892

Лазер DBR 1064 нм

Основные особенности:

  • Выходная мощность может достигать 150 мВт.
  • Свойства быстрого импульса
  • Оптическое волокно SMF28
  • Лазерная сварка и уплотнение
  • Встроенные детекторы TEC и мониторинга

Применение:

  • Master oscillator for MOPA
  • Seeder for fiber lasers
  • Seeder for DPSS lasers

Фотоэлектрические характеристики:

TOP= 25°C, непрерывный поток и начало жизни без других особенностей.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Температура рабочего чипа

TCHIP

15

35

°C

Пороговый ток

ITH

40

50

mA

ток привода лазера

IOP

500

550

mA

положительное напряжение лазера

VF

I= IMAX

2.0

2.5

V

выходная мощность

POP

I=IOP

150

mW

Центральная длина волны

λ

P=POP

1062

1064

1066

nm

Ширина линии

Δ ν

8

10

MHz

коэффициент подавления боковых модулей

SMSR

P=POP

-30

dB

Коэффициент экстинкции

PER

14

19

dB

Контроль тока светочувствительных диодов

IPD

P=POP

50

мкА

Контроль темного тока на светочувствительных диодах

ID

100

nA

ТЕК ток

Дельта T = 25°C, P = POP

3.5

A

ТЭС напряжение

Дельта T = 25°C, P = POP

3.5

V

сопротивление термистора

RTH

Т = 25°C

9500

10000

10500

Снова.

бета - коэффициент терморезистора

β

0 / 50°C

3892

1064 нм Высокомощный DFB Laser

Основные особенности:

  • Выходная мощность до 50 мВт.
  • Оптическое волокно
  • Закрытие
  • Встроенный оптический сепаратор, TEC, Терморезистор и контрольный детектор
  • Дополнительные Bias Tee

Применение:

  • Master Oscillator
  • Pulsing
  • Sensing
  • Defense
  • Mode-hop free tuning

Фотоэлектрические характеристики:

TOP= 25°C, непрерывный поток и начало жизни без других особенностей.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Температура рабочего чипа

TCHIP

20

40

°C

Пороговый ток

ITH

17

mA

ток привода лазера

IOP

400

mA

положительное напряжение лазера

VF

I= IMAX

3

V

выходная мощность

POP

I=IOP

50

mW

Центральная длина волны

λ

P=POP

1062

1064

1066

nm

Ширина линии

Δ ν

0.1

nm

коэффициент подавления боковых модулей

SMSR

P=POP

40

dB

Коэффициент экстинкции

PER

17

21

dB

Контроль тока светочувствительных диодов

IPD

P=POP

100

мкА

Контроль темного тока на светочувствительных диодах

ID

100

nA

ТЕК ток

Дельта T = 25°C, P = POP

3

A

ТЭС напряжение

Дельта T = 25°C, P = POP

3

V

сопротивление термистора

RTH

Т = 25°C

9500

10000

10500

Снова.

бета - коэффициент терморезистора

β

0 / 50°C

3892

Онлайн - запросы
  • Контактные лица
  • Компания
  • Телефон
  • Электронная почта
  • Микросхема
  • Код проверки
  • Содержание сообщения

Операция удалась!

Операция удалась!

Операция удалась!